储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL AT25PE40-SHN-B MSL AT25PE40-SHN-B 储存器 8-SOIC 管件 IC FLASH 4MBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:2M x 2|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT25SL641-SUE-T MSL AT25SL641-SUE-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:150µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT24C03YI-GT3 MSL CAT24C03YI-GT3 储存器 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24FC08-I/MS MSL 24FC08-I/MS 储存器 8-MSOP 管件 IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 µs|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25M512JWBIQ MSL W25M512JWBIQ 储存器 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL TH58NYG2S3HBAI6 MSL TH58NYG2S3HBAI6 储存器 63-BGA(9x11) 託盤 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24VL024H/P MSL 24VL024H/P 储存器 8-PDIP 管件 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.5V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA)
MSL FT24C512A-USG-T MSL FT24C512A-USG-T 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL IS46LQ16256BL-062BLA2-TR MSL IS46LQ16256BL-062BLA2-TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) AUTOMOTIVE (TC: -40 TO +105C), 4 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL IS46LQ16256B-062BLA2-TR MSL IS46LQ16256B-062BLA2-TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) AUTOMOTIVE (TC: -40 TO +105C), 4 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)

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