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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W25Q01NWZEIQ |
储存器 |
8-WSON(8x6) |
託盤 |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL AT45DB642D-CNU-SL383 |
储存器 |
8-CASON(6x8) |
卷帶(TR) |
IC FLASH 64MBIT SPI 66MHZ 8CASON |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:1056 位元組 x 8192 頁|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:66 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL AT24C32N-10SC-1.8 |
储存器 |
8-SOIC |
管件 |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:32Kb|記憶體組織:4K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC) |
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MSL MT48LC2M32B2B5-6A AIT:J |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
散裝 |
IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:2M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:12ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24FC01T-I/ST |
储存器 |
8-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24FC04T-I/SN |
储存器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:256 x 8 x 2|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 24AA00T/OT |
储存器 |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 128BIT I2C SOT23-5 |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:128 比特|記憶體組織:16 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:4ms|訪問時間:3500 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL BR24T02FVT-WGE2 |
储存器 |
8-TSSOP-B |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 11AA040T-I/MNY |
储存器 |
8-TDFN(2x3) |
卷帶(TR) |
IC EEPROM 4KBIT SGL WIRE 8TDFN |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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