储存器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL CY14B104N-BA45XC MSL CY14B104N-BA45XC 储存器 48-FBGA(6x10) 管件 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL E28F002BC-T80 MSL E28F002BC-T80 储存器 40-TSOP 散裝 IC FLASH 2MBIT CUI 40TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:2Mb|記憶體組織:256K x 8|記憶體介面:CUI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:80ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL E28F004BVB80 MSL E28F004BVB80 储存器 40-TSOP 散裝 IC FLASH 4MBIT CUI 40TSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - 引導塊|存儲容量:4Mb|記憶體組織:4M x 8|記憶體介面:CUI|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:80ns|訪問時間:80 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL MR4A16BCYS35R MSL MR4A16BCYS35R 储存器 54-TSOP2 卷帶(TR) IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2 記憶體類型:非易失|記憶體格式:RAM|技術:MRAM(磁阻式 RAM)|存儲容量:16Mb|記憶體組織:1M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A MSL MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A 储存器 100-VBGA(12x18) 託盤 IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:32Gb|記憶體組織:4G x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:100 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24LC1026T-E/SM MSL 24LC1026T-E/SM 储存器 8-SOIJ 卷帶(TR) IC EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIJ 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
MSL AT49LV001NT-12JC MSL AT49LV001NT-12JC 储存器 32-PLCC(13.97x11.43) 管件 IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC)
MSL W25Q01NWZEIM MSL W25Q01NWZEIM 储存器 8-WSON(8x6) 託盤 IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:128M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL MT40A256M16LY-062E AUT:F MSL MT40A256M16LY-062E AUT:F 储存器 96-FBGA(7.5x13.5) 散裝 IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:19 ns|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.26V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TC)
MSL CY14B101K-SP25XI MSL CY14B101K-SP25XI 储存器 48-SSOP 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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