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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL DS1345ABP-70 |
储存器 |
34-PowerCap 模块 |
管件 |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.79V ~ 5.25V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL DS1345WP-100 |
储存器 |
34-PowerCap 模块 |
散裝 |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:100ns|訪問時間:100 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL NAND256W3A2BN6F |
储存器 |
48-TSOP |
卷帶(TR) |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存 - NAND|存儲容量:256Mb|記憶體組織:32M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50ns|訪問時間:50 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL M25P16-VMN3TP/4 TR |
储存器 |
8-SO |
剪切帶(CT) |
IC FLASH 16MBIT SPI 79MHZ 8SO |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:79 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ms,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL AT49LV001-12JC |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:50µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TC) |
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MSL AT28C64E-12JI |
储存器 |
32-PLCC(13.97x11.43) |
管件 |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:64Kb|記憶體組織:8K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:200µs|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL MT48LC16M16A2TG-7E:D TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:14ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL MT48LC16M16A2TG-79:D TR |
储存器 |
54-TSOP II |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1313KV18-250BZCKG |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
散裝 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:1M x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL CY7C1911KV18-250BZXC |
储存器 |
165-FBGA(13x15) |
託盤 |
IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,QDR II|存儲容量:18Mb|記憶體組織:2M x 9|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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