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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL XC9572-15PCG44C |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
44-PLCC(16.59x16.59) |
託盤 |
IC CPLD 72MC 15NS 44PLCC |
可編程類型:系統內可編程(最少 10000 次編程/擦除迴圈)|延遲時間 tpd(1) 最大值:15 ns|供電電壓 - 內部:4.75V ~ 5.25V|邏輯元件/塊數:4|宏單元數:72|柵極數:1600|I/O 數:34 |
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MSL EPM7512AEQC208-7 |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
208-PQFP(28x28) |
託盤 |
IC CPLD 512MC 7.5NS 208QFP |
可編程類型:系統內可編程|延遲時間 tpd(1) 最大值:7.5 ns|供電電壓 - 內部:3V ~ 3.6V|邏輯元件/塊數:32|宏單元數:512|柵極數:10000|I/O 數:176|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL LC4384C-75TN176C |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
176-TQFP(24x24) |
託盤 |
IC CPLD 384MC 7.5NS 176TQFP |
可編程類型:系統內可編程|延遲時間 tpd(1) 最大值:7.5 ns|供電電壓 - 內部:1.65V ~ 1.95V|邏輯元件/塊數:24|宏單元數:384|柵極數:-|I/O 數:128|工作溫度:0°C ~ 90°C(TJ) |
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MSL ISPLSI 2128E-135LT176 |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
176-TQFP(24x24) |
託盤 |
IC CPLD 128MC 7.5NS 176TQFP |
可編程類型:系統內可編程|延遲時間 tpd(1) 最大值:7.5 ns|供電電壓 - 內部:4.75V ~ 5.25V|邏輯元件/塊數:32|宏單元數:128|柵極數:6000|I/O 數:128|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL LC4256B-3FN256BC |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
256-FPBGA(17x17) |
託盤 |
IC CPLD 256MC 3NS 256FPBGA |
可編程類型:系統內可編程|延遲時間 tpd(1) 最大值:3 ns|供電電壓 - 內部:2.3V ~ 2.7V|邏輯元件/塊數:16|宏單元數:256|柵極數:-|I/O 數:160|工作溫度:0°C ~ 90°C(TJ) |
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MSL M4A3-256/192-7FANC |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
256-FPBGA(17x17) |
託盤 |
IC CPLD 256MC 7.5NS 256FPBGA |
可編程類型:系統內可編程|延遲時間 tpd(1) 最大值:7.5 ns|供電電壓 - 內部:3V ~ 3.6V|邏輯元件/塊數:-|宏單元數:256|柵極數:-|I/O 數:192|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL ISPLSI 2032A-150LJN44 |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
44-PLCC(16.59x16.59) |
管件 |
IC CPLD 32MC 5.5NS 44PLCC |
可編程類型:系統內可編程|延遲時間 tpd(1) 最大值:5.5 ns|供電電壓 - 內部:4.75V ~ 5.25V|邏輯元件/塊數:8|宏單元數:32|柵極數:1000|I/O 數:32|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL XC2C32A-6CP56C |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
56-CSBGA(6x6) |
託盤 |
IC CPLD 32MC 5.5NS 56CSBGA |
可編程類型:系統內可編程|延遲時間 tpd(1) 最大值:5.5 ns|供電電壓 - 內部:1.7V ~ 1.9V|邏輯元件/塊數:2|宏單元數:32|柵極數:750|I/O 數:33|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL SLG47512V |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
12-STQFN(1.6x1.6) |
卷帶(TR) |
IC CPLD 23MC 12STQFN |
可編程類型:OTP|延遲時間 tpd(1) 最大值:-|供電電壓 - 內部:1V ~ 1.65V|邏輯元件/塊數:-|宏單元數:23|柵極數:-|I/O 數:10|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY37064VP84-100JC |
CPLD(復雜可編程邏輯器件) |
84-PLCC(29.31x29.31) |
散裝 |
IC CPLD 64MC 12NS 84PLCC |
可編程類型:系統內 Reprogrammable™(ISR™)CMOS|延遲時間 tpd(1) 最大值:12 ns|供電電壓 - 內部:4.75V ~ 5.25V|邏輯元件/塊數:-|宏單元數:64|柵極數:-|I/O 數:69|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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