| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W966D6HBGX7I TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 64MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W966D6HBGX7I TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 64MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W959D8NFYA5I |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:HyperRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W959D8NFYA5I |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:HyperRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W959D8NFYA5I TR |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:HyperRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W959D8NFYA5I TR |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:HyperRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:35 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W959D8NFYA4II TR |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:HyperRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:28 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W959D8NFYA4I |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:HyperRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:28 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W959D8NFYA4I |
储存器 |
24-TFBGA,DDP(6x8) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:HyperRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:28 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W959D8NFYA4I TR |
储存器 |
24-TFBGA(8x6) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT HYPERBUS 24TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:HyperRAM|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:HyperBus|時鐘頻率:250 MHz|寫週期時間 - 字,頁:35ns|訪問時間:28 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |