存儲器

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MSL W979H2KBVX2E MSL W979H2KBVX2E 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX2E MSL W979H2KBVX2E 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX2E TR MSL W979H2KBVX2E TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX2E TR MSL W979H2KBVX2E TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX1I MSL W979H2KBVX1I 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX1I MSL W979H2KBVX1I 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX1I TR MSL W979H2KBVX1I TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX1I TR MSL W979H2KBVX1I TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX1E MSL W979H2KBVX1E 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W979H2KBVX1E MSL W979H2KBVX1E 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF

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