| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W979H2KBVX2E |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W979H2KBVX2E |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W979H2KBVX2E TR |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W979H2KBVX2E TR |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W979H2KBVX1I |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W979H2KBVX1I |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W979H2KBVX1I TR |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W979H2KBVX1I TR |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W979H2KBVX1E |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W979H2KBVX1E |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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