存儲器

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MSL W9812G2KB-6 MSL W9812G2KB-6 储存器 90-TFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL W9812G2KB-6I TR MSL W9812G2KB-6I TR 储存器 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W9812G2KB-6 TR MSL W9812G2KB-6 TR 储存器 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL W9812G2KB-6 TR MSL W9812G2KB-6 TR 储存器 90-TFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM|存儲容量:128Mb|記憶體組織:4M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL W97BH6MBVA2I MSL W97BH6MBVA2I 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W97BH6MBVA2I TR MSL W97BH6MBVA2I TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W97BH6MBVA2E MSL W97BH6MBVA2E 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W97BH6MBVA2E TR MSL W97BH6MBVA2E TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:400 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W97BH6MBVA1I MSL W97BH6MBVA1I 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W97BH6MBVA1I TR MSL W97BH6MBVA1I TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF

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