存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL X20C04P-15 MSL X20C04P-15 储存器 28-PDIP 管件 IC NVSRAM 4KBIT PARALLEL 28DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:150ns|訪問時間:150 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL W989D6DBGX6I MSL W989D6DBGX6I 储存器 54-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W989D6DBGX6I TR MSL W989D6DBGX6I TR 储存器 54-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W989D6DBGX6E MSL W989D6DBGX6E 储存器 54-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W989D6DBGX6E MSL W989D6DBGX6E 储存器 54-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W989D6DBGX6E TR MSL W989D6DBGX6E TR 储存器 54-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W989D6DBGX6E TR MSL W989D6DBGX6E TR 储存器 54-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:32M x 16|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W989D2DBJX6I MSL W989D2DBJX6I 储存器 90-VFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W989D2DBJX6I MSL W989D2DBJX6I 储存器 90-VFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W989D2DBJX6I TR MSL W989D2DBJX6I TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF

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