存儲器

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MSL W989D2DBJX6I TR MSL W989D2DBJX6I TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W989D2DBJX6E MSL W989D2DBJX6E 储存器 90-VFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W989D2DBJX6E MSL W989D2DBJX6E 储存器 90-VFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W989D2DBJX6E TR MSL W989D2DBJX6E TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W989D2DBJX6E TR MSL W989D2DBJX6E TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W988D6FBGX7I MSL W988D6FBGX7I 储存器 54-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT LVCMOS 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W988D6FBGX7I TR MSL W988D6FBGX7I TR 储存器 54-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT LVCMOS 54VFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:-|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:LVCMOS|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL W988D6FBGX7E MSL W988D6FBGX7E 储存器 54-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W988D6FBGX7E TR MSL W988D6FBGX7E TR 储存器 54-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W988D6FBGX7E TR MSL W988D6FBGX7E TR 储存器 54-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF

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