存儲器

存儲器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 11AA020T-I/MNY MSL 11AA020T-I/MNY 储存器 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT SGL WIRE 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:單線|時鐘頻率:100 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL M34C02-RMB6TG MSL M34C02-RMB6TG 储存器 8-UFDFPN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:10ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY62256VNLL-70SNC MSL CY62256VNLL-70SNC 储存器 28-SOIC 散裝 IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL CY7C199C-15ZXCT MSL CY7C199C-15ZXCT 储存器 28-TSOP I 散裝 IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:256Kb|記憶體組織:32K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:15 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL AT25PE40-SHN-B MSL AT25PE40-SHN-B 储存器 8-SOIC 管件 IC FLASH 4MBIT SPI 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR(SLC)|存儲容量:4Mb|記憶體組織:2M x 2|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:85 MHz|寫週期時間 - 字,頁:3ms|訪問時間:6 ns|電壓 - 供電:1.65V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL AT25SL641-SUE-T MSL AT25SL641-SUE-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:8M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O,QPI|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:150µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CAT24C03YI-GT3 MSL CAT24C03YI-GT3 储存器 8-TSSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 24FC08-I/MS MSL 24FC08-I/MS 储存器 8-MSOP 管件 IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:450 µs|電壓 - 供電:1.7V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL W25M512JWBIQ MSL W25M512JWBIQ 储存器 24-TFBGA(6x8) 託盤 IC FLASH 512MBIT SPI 24TFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:512Mb|記憶體組織:64M x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:104 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL TH58NYG2S3HBAI6 MSL TH58NYG2S3HBAI6 储存器 63-BGA(9x11) 託盤 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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