存儲器

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來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL BR25L040FVJ-WE2 MSL BR25L040FVJ-WE2 储存器 8-TSSOP-BJ 卷帶(TR) IC EEPROM 4KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:4Kb|記憶體組織:512 x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:5 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL AT25DF041A-SHF-T MSL AT25DF041A-SHF-T 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:閃存|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:7µs,5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC)
MSL BR24G08FVM-3AGTTR MSL BR24G08FVM-3AGTTR 储存器 8-MSOP 卷帶(TR) IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8MSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:8Kb|記憶體組織:1K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.6V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93LC46AT/SN MSL 93LC46AT/SN 储存器 8-SOIC 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:6ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 0418A4ACLAA-4H MSL 0418A4ACLAA-4H 储存器 119-BGA(22x14) 散裝 IC SRAM 4MBIT HSTL 119BGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 18|記憶體介面:HSTL|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:4.5 ns|電壓 - 供電:3.135V ~ 3.465V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TA)
MSL R1LV0414DSB-7LI#B0 MSL R1LV0414DSB-7LI#B0 储存器 44-TSOP II 託盤 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM|存儲容量:4Mb|記憶體組織:256K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL CY7C1062G30-10BGXI MSL CY7C1062G30-10BGXI 储存器 119-PBGA(14x22) 託盤 IC SRAM 16MBIT PARALLEL 119PBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:16Mb|記憶體組織:512K x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:10ns|訪問時間:10 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL DS1245Y-70+ MSL DS1245Y-70+ 储存器 32-EDIP 管件 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:70ns|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL 93C46BT-I/MNY MSL 93C46BT-I/MNY 储存器 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:64 x 16|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL 93C46AT-I/MNY MSL 93C46AT-I/MNY 储存器 8-TDFN(2x3) 卷帶(TR) IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8TDFN 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:1Kb|記憶體組織:128 x 8|記憶體介面:Microwire|時鐘頻率:2 MHz|寫週期時間 - 字,頁:2ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

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