| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL W988D2FBJX6I TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
PDF |
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MSL W988D2FBJX6I TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W988D2FBJX6E |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
託盤 |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W988D2FBJX6E TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W988D2FBJX6E TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W987D6HBGX7E |
储存器 |
54-VFBGA(8x9) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W987D6HBGX6I |
储存器 |
54-VFBGA(8x9) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
PDF |
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MSL W987D6HBGX6I TR |
储存器 |
54-VFBGA(8x9) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W987D6HBGX6I TR |
储存器 |
54-VFBGA(8x9) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL W987D6HBGX6E |
储存器 |
54-VFBGA(8x9) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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