存儲器

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MSL W988D2FBJX6I TR MSL W988D2FBJX6I TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W988D2FBJX6I TR MSL W988D2FBJX6I TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W988D2FBJX6E MSL W988D2FBJX6E 储存器 90-VFBGA(8x13) 託盤 IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W988D2FBJX6E TR MSL W988D2FBJX6E TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W988D2FBJX6E TR MSL W988D2FBJX6E TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:256Mb|記憶體組織:8M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W987D6HBGX7E MSL W987D6HBGX7E 储存器 54-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W987D6HBGX6I MSL W987D6HBGX6I 储存器 54-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W987D6HBGX6I TR MSL W987D6HBGX6I TR 储存器 54-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W987D6HBGX6I TR MSL W987D6HBGX6I TR 储存器 54-VFBGA(8x9) 卷帶(TR) IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W987D6HBGX6E MSL W987D6HBGX6E 储存器 54-VFBGA(8x9) 託盤 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPSDR|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:166 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5.4 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF

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