| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL 1SD418F2-FX800R33KF1 |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 1SD418F2-CM800HB-66H |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 1SD418F2-CM800E2C-66H |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 1SD418F2-CM1200HC-66H |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 1SD418F2-CM1200HC-50H |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 1SD418F2-CM1200HB-66H |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 1SD418F2-5SNA1500E330300 |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 1SD418F2-5SNA1200E330100 |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL 1SD418F2-5SNA1200E250100 |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL EB01-FS450R17KE3 |
柵極驅動器 |
模块 |
散裝 |
IC GATE DRVR P&P SCALE 1 MODULE |
驅動配置:-|通道類型:-|驅動器數:-|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:-|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):1200 V|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
|