| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IRS21962SPBF |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC |
驅動配置:高端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.6V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,25ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS21956SPBF |
柵極驅動器 |
20-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,15ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS21856SPBF |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):30ns,20ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS21850SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):15ns,15ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS210614SPBF |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):100ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL LM2726M |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4V ~ 7V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.25V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3.2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):42 V|上升/下降時間(典型值):17ns,12ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IX2127N |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 12V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):23ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IX2127G |
柵極驅動器 |
8-DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 12V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):23ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL L9857-TR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):300 V|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL L9856-TR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.4V ~ 6.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):150 V|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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