| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL IR21381QPBF |
柵極驅動器 |
64-MQFP(20x14) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64MQFP |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:12.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):350mA,540mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,25ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL IR21141SSTRPBF |
柵極驅動器 |
24-SSOP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:11.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):24ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2131STRPBF |
柵極驅動器 |
28-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR1167BSTRPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:2V,2.15V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,7A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):18ns,10ns|工作溫度:-25°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL IRS21094STRPBF |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):100ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR21365STRPBF |
柵極驅動器 |
28-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):125ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2138QPBF |
柵極驅動器 |
64-MQFP(20x14) |
託盤 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64MQFP |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:12.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):350mA,200mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,25ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL IRS21952SPBF |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC |
驅動配置:半橋,低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:3|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.6V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,25ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IRS21953SPBF |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC |
驅動配置:半橋,低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:3|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.6V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,25ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IRS21853SPBF |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC |
驅動配置:高端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.6V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):15ns,15ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
|