| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IXDD409CI |
柵極驅動器 |
TO-220-5 |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5 |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):9A,9A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IXDD404SIA-16 |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):16ns,13ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IXDD404SIA |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):16ns,13ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IXD611S7 |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:2.4V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):600mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):28ns,18ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IXD611S1 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:2.4V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):600mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):28ns,18ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IXD611P1 |
柵極驅動器 |
8-DIP |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:2.4V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):600mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):28ns,18ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IXA611P7 |
柵極驅動器 |
14-PDIP |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):600mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):650 V|上升/下降時間(典型值):23ns,22ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IX4R11S3 |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):650 V|上升/下降時間(典型值):23ns,22ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IX2R11S3 |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):500 V|上升/下降時間(典型值):8ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IX2R11P7 |
柵極驅動器 |
14-PDIP |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):500 V|上升/下降時間(典型值):8ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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