| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IRS2118PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):75ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2103PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):70ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2101PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):70ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2001PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):200 V|上升/下降時間(典型值):70ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2186PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):22ns,18ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2304PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.7V,2.3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):70ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2308PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):100ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2113PBF |
柵極驅動器 |
14-DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.5A,2.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,17ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL TDA21107 |
柵極驅動器 |
PG-DSO-8 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8 |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):30 V|上升/下降時間(典型值):30ns,40ns|工作溫度:0°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL TDA21106 |
柵極驅動器 |
PG-DSO-8-3 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8 |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):45 V|上升/下降時間(典型值):20ns,15ns|工作溫度:-25°C ~ 150°C(TJ) |
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