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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IR21271STR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR2108STR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR21084STR |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR2106STR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR21834STR |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL TC4421MJA |
柵極驅動器 |
8-CERDIP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):9A,9A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):60ns,60ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR2183 |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR21271S |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR2183S |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR2181S |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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