| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL IR2233J |
柵極驅動器 |
44-PLCC,32 引线(16.58x16.58) |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):1200 V|上升/下降時間(典型值):90ns,40ns|工作溫度:125°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2153 |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 15.6V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:RC 輸入電路|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2133J |
柵極驅動器 |
44-PLCC,32 引线(16.58x16.58) |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):90ns,40ns|工作溫度:125°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2130 |
柵極驅動器 |
28-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2127 |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2125 |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:0V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.6A,3.3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):500 V|上升/下降時間(典型值):43ns,26ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2117 |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2113 |
柵極驅動器 |
14-DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:3.3V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,17ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2112 |
柵極驅動器 |
14-DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR2110 |
柵極驅動器 |
14-DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:3.3V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):500 V|上升/下降時間(典型值):25ns,17ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|