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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MCP14E11-E/MF |
柵極驅動器 |
8-DFN-S(6x5) |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):25ns,25ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL UCD7201PWPG4 |
柵極驅動器 |
14-HTSSOP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 14HTSSOP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.25V ~ 15V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.16V,2.08V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TJ) |
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MSL LT1160IS#TRPBF |
柵極驅動器 |
14-SO |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 15V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):60 V|上升/下降時間(典型值):130ns,60ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IR2109 |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL MIC4451ABN |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
散裝 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):12A,12A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,24ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IXDD414SI |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 14SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):14A,14A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):25ns,22ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS21956STRPBF |
柵極驅動器 |
20-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,15ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 2SD315AI-25 |
柵極驅動器 |
模块 |
散裝 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:-|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:15V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):18A,18A|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IR2102STRPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):210mA,360mA|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):100ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL LM2103DR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,800mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):28ns,18ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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