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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL LTC7065RMSE#TRPBF |
柵極驅動器 |
10-MSOP-EP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:6V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.4V,3.45V,0.85V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.6A,2.6A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):115 V|上升/下降時間(典型值):23ns,29ns,20ns,28ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL MCP14A0454T-E/MS |
柵極驅動器 |
8-MSOP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4.5A,4.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):12ns,12ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL SN75372PE4 |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
驅動配置:低端|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.75V ~ 24V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL TC4431COA713 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 30V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):25ns,33ns|工作溫度:0°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL RAA229004GNP#HA0 |
柵極驅動器 |
12-TDFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12TDFN |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:6V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):36 V|上升/下降時間(典型值):31ns,18ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IR2109S |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL MIC4467CN |
柵極驅動器 |
14-DIP |
散裝 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 14DIP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.2A,1.2A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):14ns,13ns|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IXDD430MCI |
柵極驅動器 |
TO-220-5 |
盒 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5 |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):30A,30A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):18ns,16ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2330DSTRPBF |
柵極驅動器 |
28-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 1SD312F2-CM600HB-90H |
柵極驅動器 |
模块 |
散裝 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:15.5V ~ 16.8V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):12A,12A|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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