| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL TPS2812DG4 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):14ns,15ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL TPS28226DRBR |
柵極驅動器 |
8-SON(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SON |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:6.8V ~ 8.8V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):33 V|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL UC3715DG4 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:7V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):30ns,25ns|工作溫度:0°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL E-L6571BD013TR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 16.6V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):170mA,270mA|輸入類型:RC 輸入電路|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL TC428MJA |
柵極驅動器 |
8-CERDIP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):30ns,30ns|工作溫度:-55°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL IR2111STR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:8.3V,12.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL MIC5011BN |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
散裝 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.75V ~ 32V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:2V,4.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IXDD504SIA |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 30V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):9ns,8ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IRS2607DSPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL 1SD312F2-MG900GXH1US53 |
柵極驅動器 |
模块 |
散裝 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:15.5V ~ 16.8V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):12A,12A|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|