| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL L6398DTR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.1V,1.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,430mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):75ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL UCC27517DBVT |
柵極驅動器 |
SOT-23-5 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):8ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 140°C(TJ) |
|
 |
MSL FAN7383MX |
柵極驅動器 |
14-SOP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:15V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.2V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):350mA,650mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):50ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IXDN630CI |
柵極驅動器 |
TO-220-5 |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5 |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):30A,30A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):11ns,11ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL TC1410EOA |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 16V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):25ns,25ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL MAX5048BATT+T |
柵極驅動器 |
6-TDFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6TDFN |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4V ~ 12.6V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.3A,7.6A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):82ns,12.5ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL LT8672JMS#PBF |
柵極驅動器 |
10-MSOP |
管件 |
IC GATE DRVR 10MSOP |
驅動配置:-|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:3V ~ 42V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-50mA,300mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL FAN73912AMX |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC |
驅動配置:高壓側和低壓側|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):1200 V|上升/下降時間(典型值):25ns,15ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL HIP6601BCB-T |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
散裝 |
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):15 V|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL ISL6610CRZ-T |
柵極驅動器 |
16-QFN(4x4) |
散裝 |
BUFFER/INVERTER MOSFET DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):36 V|上升/下降時間(典型值):8ns,8ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
|