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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL ISL6611ACRZ-T |
柵極驅動器 |
16-QFN(4x4) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):36 V|上升/下降時間(典型值):8ns,8ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL 1SD418F2-FX800R33KF2 |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):18A,18A|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL LM5114BSD/NOPB |
柵極驅動器 |
6-WSON(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4V ~ 12.6V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.3A,7.6A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):82ns,12.5ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL FL3100TMPX |
柵極驅動器 |
6-MicroFET(2x2) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6MLP |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):13ns,9ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL MC33152DG |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:6.1V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):36ns,32ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IR2233JPBF |
柵極驅動器 |
44-PLCC,32 引线(16.58x16.58) |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):1200 V|上升/下降時間(典型值):90ns,40ns|工作溫度:125°C(TJ) |
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MSL IRS2108SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):100ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL LTC1163CS8#PBF |
柵極驅動器 |
8-SO |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
驅動配置:高端|通道類型:獨立式|驅動器數:3|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:1.8V ~ 6V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL IR2136SPBF |
柵極驅動器 |
28-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):125ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 2ED1321S12MXUMA1 |
柵極驅動器 |
PG-DSO-16-U02 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,SiC MOSFET|電壓 - 供電:13V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.1V,1.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.3A,4.6A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):48ns,48ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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