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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL MCP14E5T-E/MF |
柵極驅動器 |
8-DFN-S(6x5) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):15ns,18ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL E-L6385D013TR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:17V(最大)|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.5V,3.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):400mA,650mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):50ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL MIC4607-2YTS-T5 |
柵極驅動器 |
28-TSSOP |
剪切帶(CT) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:5.25V ~ 16V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,1A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):108 V|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IR2153STR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 15.6V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:RC 輸入電路|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,45ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL EL7155CS-T13 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:4.5V ~ 16.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3.5A,3.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):14.5ns,15ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IXDI402SIA |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):8ns,8ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL EL7457CSZ-T7A |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):13.5ns,13ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL 1SD418F2-FZ1500R25KF1 |
柵極驅動器 |
模块 |
盒 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 15.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):18A,18A|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):100ns,100ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL NCP81074AMNTBG |
柵極驅動器 |
8-DFN(2x2) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.5V,1.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):10A,10A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):4ns,4ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 1ED44173N01BXTSA1 |
柵極驅動器 |
PG-SOT23-6-3 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8.6V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.2V,1.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.6A,2.6A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):5ns,5ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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