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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NCP81155MNTXG |
柵極驅動器 |
8-DFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):16ns,11ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 2ED21834S06JXUMA1 |
柵極驅動器 |
PG-DSO-14-49 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.1V,1.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.5A,2.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):650 V|上升/下降時間(典型值):15ns,15ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL TC427IJA |
柵極驅動器 |
8-CERDIP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):30ns,30ns|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) |
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MSL MAX15025AATB+T |
柵極驅動器 |
10-TDFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 10TDFN |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 28V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):42ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL AMT49101KJPTR-B-3 |
柵極驅動器 |
48-LQFP-EP(7x7) |
散裝 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48LQFP |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:5V ~ 80V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.99V,2.1V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.4A,4.2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TA) |
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MSL IRS2111SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
散裝 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:8.3V,12.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):75ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2127PBF |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
散裝 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL ISL89167FBEAZ |
柵極驅動器 |
8-SOIC-EP |
管件 |
AND GATE BASED MOSFET DRIVER |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 16V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.22V,2.08V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):6A,6A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IR2109SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
散裝 |
IR2109S - GATE DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL VLA542-11R |
柵極驅動器 |
模块 |
散裝 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE MODULE |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:14V ~ 17V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):5A,5A|輸入類型:CMOS|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):400ns,300ns|工作溫度:-20°C ~ 70°C |
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