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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL LTC4441EMSE#TRPBF |
柵極驅動器 |
10-MSOP-EP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 10MSOP |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:5V ~ 25V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):6A,6A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):13ns,8ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL EMB1412MYE/NOPB |
柵極驅動器 |
8-HVSSOP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:3.5V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,7A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):14ns,12ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IR2130JTR |
柵極驅動器 |
44-PLCC,32 引线(16.58x16.58) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL EL7457CL-T13 |
柵極驅動器 |
16-QFN(4x4) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QFN |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):13.5ns,13ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IXDI514SIA |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 30V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):14A,14A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):25ns,22ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL AUIRS2127S |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 2SD316EI-17 |
柵極驅動器 |
模块 |
託盤 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE |
驅動配置:半橋|通道類型:-|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:15V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):18A,18A|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL UCC24624DR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.25V ~ 26V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):23ns,19ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL 2EDN7534BXTSA1 |
柵極驅動器 |
PG-SOT23-6-1 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.4V,1.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):5A,5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):8.6ns,6ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL UCC27201ADRCR |
柵極驅動器 |
9-VSON(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9VSON |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8V ~ 17V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):120 V|上升/下降時間(典型值):8ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 140°C(TJ) |
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