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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL TC4431EPA |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8DIP |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 30V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):25ns,33ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL MGD3160AM338EK |
柵極驅動器 |
32-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 32SOIC |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,SiC MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 40V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):15A,15A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IR21814S |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL HIP2101IRT |
柵極驅動器 |
16-QFN(5x5) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):114 V|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IXDN502D1 |
柵極驅動器 |
6-DFN(4x5) |
盒 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 30V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):7.5ns,6.5ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL AUIRS4427S |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:6V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.3A,3.3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):25ns,25ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL TC4427AVOA-VAO |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):25ns,25ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MC33153DR2G |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:11V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.2V,3.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,2A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):17ns,17ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 1ED44176N01FXUMA1 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:12.7V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.2V,1.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):800mA,1.75A|輸入類型:CMOS,TTL|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):50ns,25ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL DGD2190MS8-13 |
柵極驅動器 |
8-SO |
卷帶(TR) |
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4.5A,4.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):25ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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