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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IR2181 |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL HIP6601BCBZ-T |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):15 V|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IXDN504D1 |
柵極驅動器 |
6-DFN(4x5) |
盒 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 30V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):9ns,8ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL ZL1505ALNFT |
柵極驅動器 |
10-DFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 7.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.7V,3.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3.2A,3.2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):30 V|上升/下降時間(典型值):5.3ns,4.8ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL TC4427EOA-VAO |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):19ns,19ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL IRS21844STRPBF |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL DRV8300DPWR |
柵極驅動器 |
20-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRV HI/LOW SIDE 20HTSSOP |
驅動配置:高壓側和低壓側|通道類型:3 相|驅動器數:3|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):750mA,1.5A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):105 V|上升/下降時間(典型值):12ns,12ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MIC4422YM |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):9A,9A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,24ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL UCC27512DRSR |
柵極驅動器 |
6-SON(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,8A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):8ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 140°C(TJ) |
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MSL IXDN602SITR |
柵極驅動器 |
8-SOIC-EP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):7.5ns,6.5ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
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