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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IR2108STR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL HIP6603BECBZ |
柵極驅動器 |
8-SOIC-EP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):15 V|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL L6384E |
柵極驅動器 |
8-DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.6V ~ 16.6V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.5V,3.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):400mA,650mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):50ns,30ns|工作溫度:-45°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL SI9978DW-E3 |
柵極驅動器 |
24-SOIC |
散裝 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:14.5V ~ 17.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):40 V|上升/下降時間(典型值):110ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL RT7027GN |
柵極驅動器 |
8-SOP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):300mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):70ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IR2183STRPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL UCC27511AQDBVRQ1 |
柵極驅動器 |
SOT-23-6 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,8A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):8ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 2EDS9265HXUMA1 |
柵極驅動器 |
PG-DSO-16-30 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,SiC MOSFET|電壓 - 供電:20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-,1.65V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,8A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):650 V|上升/下降時間(典型值):6.5ns,4.5ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MIC4126YME |
柵極驅動器 |
8-SOIC-EP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,18ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL UCC27524DSDT |
柵極驅動器 |
8-SON(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SON |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2.3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):5A,5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):7ns,6ns|工作溫度:-40°C ~ 140°C(TJ) |
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