| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL ISL6594ACBZ |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.25A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):36 V|上升/下降時間(典型值):26ns,18ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL FAN3223CMPX |
柵極驅動器 |
8-MLP(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MLP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):5A,5A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):12ns,9ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL MC33883HEGR2 |
柵極驅動器 |
20-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:5.5V ~ 28V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,1A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):55 V|上升/下降時間(典型值):80ns,80ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL MIC4605-2YM-TRVAO |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 85V |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:5.5V ~ 16V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,1A|輸入類型:PWM,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):108 V|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL IRS2011STRPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.7V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,1A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):200 V|上升/下降時間(典型值):25ns,15ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL FAN7380MX |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):90mA,180mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):230ns,90ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL IR21271SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:9V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):250mA,500mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):80ns,40ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL MCP14A0303-E/MNY |
柵極驅動器 |
8-TDFN(2x3) |
管件 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8TDFN |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):12ns,12ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C |
|
 |
MSL IR2102SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):210mA,360mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):100ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL NCP81071AMNTXG |
柵極驅動器 |
8-WDFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFN |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.2V,1.8V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):5A,5A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):8ns,8ns|工作溫度:-40°C ~ 140°C(TJ) |
|