| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL UP1966E |
柵極驅動器 |
12-WLCSP-B(1.6x1.6) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:增強模式 GaN FET|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.5V,2.3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):7.1A,12.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):85 V|上升/下降時間(典型值):8ns,4ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL UCC27424DR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4V ~ 15V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,15ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL IXDD609SI |
柵極驅動器 |
8-SOIC-EP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 35V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):9A,9A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):22ns,15ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL MIC44F18YMME-TR |
柵極驅動器 |
8-MSOP-EP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.607V,1.615V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):6A,6A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL TC4424COE |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):23ns,25ns|工作溫度:0°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL 2EDL8123G3CXTMA1 |
柵極驅動器 |
PG-VSON-10-4 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VFDFN |
驅動配置:高壓側和低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8V ~ 17V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):120 V|上升/下降時間(典型值):45ns,45ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL IX4342UETR |
柵極驅動器 |
8-EMSOP |
卷帶(TR) |
DUAL 1 INVERTING/NON-INVERTING D |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):5A,5A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):7ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL NCP5359MNR2G |
柵極驅動器 |
10-DFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):35 V|上升/下降時間(典型值):16ns,11ns|工作溫度:0°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL TF0227 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
DUAL, LOW SIDE GATE DRIVER |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.7V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,4A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
|
 |
MSL ISL6594ACBZ |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10.8V ~ 13.2V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.25A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):36 V|上升/下降時間(典型值):26ns,18ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
|