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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL ISL6620CRZ-T |
柵極驅動器 |
10-DFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):36 V|上升/下降時間(典型值):8ns,8ns|工作溫度:0°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL LMD18400N |
柵極驅動器 |
20-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20DIP |
驅動配置:高端|通道類型:獨立式|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:7V ~ 28V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:-25°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IRS2008MPBFAUMA1 |
柵極驅動器 |
14-MLPQ(4x4) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14MLPQ |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:CMOS|高壓側電壓 - 最大值(自舉):200 V|上升/下降時間(典型值):70ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL MIC5021YM-TR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 36V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):400ns,400ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL DGD2003S8-13 |
柵極驅動器 |
8-SO 类 TH |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):200 V|上升/下降時間(典型值):70ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IR2010SPBF |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):200 V|上升/下降時間(典型值):10ns,15ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL LF21844NTR |
柵極驅動器 |
14-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.9A,2.3A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):40ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 2ED2110S06MXUMA1 |
柵極驅動器 |
16-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC |
驅動配置:高壓側和低壓側|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,14V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.5A,2.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):650 V|上升/下降時間(典型值):25ns,17ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL L6395DTR |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.1V,1.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,430mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):75ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL IX4342UE |
柵極驅動器 |
8-EMSOP |
管件 |
DUAL 1 INVERTING/NON-INVERTING D |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):5A,5A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):7ns,7ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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