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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL IR25604SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
散裝 |
HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL LMG1210RVRR |
柵極驅動器 |
19-WQFN(3x4) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.75V ~ 5.25V,6V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):200 V|上升/下降時間(典型值):500ps,500ps|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL NCP81074ADR2G |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.5V,1.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):10A,10A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):4ns,4ns|工作溫度:-40°C ~ 140°C(TJ) |
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MSL SN75372P |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
驅動配置:低端|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.75V ~ 5.25V,4.75V ~ 24V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):500mA,500mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):20ns,20ns|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL TC1428CPA |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 16V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.2A,1.2A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):35ns,25ns|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL UCC27282QDQ1 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:5.5V ~ 16V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.9V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2.5A,3.5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):120 V|上升/下降時間(典型值):12ns,10ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C |
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MSL TPS28225TDRQ1 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 8.8V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.1V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):33 V|上升/下降時間(典型值):10ns,10ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL 2EDL8034G4BXTMA1 |
柵極驅動器 |
PG-VDSON-8-5 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VDFN |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8V ~ 17V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,6A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):120 V|上升/下降時間(典型值):4.6ns,4.4ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL NCP4413DR2 |
柵極驅動器 |
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散裝 |
BUFFER/INVERTER MOSFET DRIVER |
驅動配置:-|通道類型:-|驅動器數:-|柵極類型:-|電壓 - 供電:-|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):-|工作溫度:- |
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MSL TF2117 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
600V, HIGH-SIDE GATE DRIVER |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:6V,9.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):75ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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