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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL NCP81071BMNTXG |
柵極驅動器 |
8-WDFN(3x3) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFN |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.2V,1.8V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):5A,5A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):8ns,8ns|工作溫度:-40°C ~ 140°C(TJ) |
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MSL MD1813K6-G |
柵極驅動器 |
16-QFN(4x4) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 13V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.3V,1.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):6ns,6ns|工作溫度:-20°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL IR2109STRPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL 6ED003L02F2XUMA1 |
柵極驅動器 |
PG-TSSOP-28 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:13V ~ 17.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.1V,1.7V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):620 V|上升/下降時間(典型值):60ns,26ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
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MSL NCV5701ADR2G |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.75V,4.3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):7.8A,6.8A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):9.2ns,7.9ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL 2ED2772S01GXTMA1 |
柵極驅動器 |
PG-VSON-10-5 |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE VSON-10 |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:7V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):140 V|上升/下降時間(典型值):24ns,12ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL IRS2008SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):200 V|上升/下降時間(典型值):70ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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MSL TF2103M |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
600V, HALF BRIDGE GATE DRIVER |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.08V,2.5V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,600mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):70ns,35ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL BS2101F-E2 |
柵極驅動器 |
8-SOP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1V,2.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):60mA,130mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):60ns,20ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA) |
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MSL LTC7067RMSE#TRPBF |
柵極驅動器 |
12-MSOP-EP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 12MSOP |
驅動配置:高端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:5V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,3A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):15 V|上升/下降時間(典型值):18ns,14ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
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