| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL IR2109SPBF |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
驅動配置:半橋|通道類型:同步|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:10V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.9V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):150ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL L6387E |
柵極驅動器 |
8-DIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:17V(最大)|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.5V,3.6V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):400mA,650mA|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):50ns,30ns|工作溫度:-45°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL TPIC44L02DBRG4 |
柵極驅動器 |
24-SSOP |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24SSOP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:4|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.2mA,1.2mA|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):3.5µs,3µs|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL TC428EOA713 |
柵極驅動器 |
8-SOIC |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):30ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL TC4423AVMF713 |
柵極驅動器 |
8-DFN-S(6x5) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 18V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2.4V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4.5A,4.5A|輸入類型:反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):12ns,12ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL ISL2111BR4Z-T |
柵極驅動器 |
8-DFN(4x4) |
卷帶(TR) |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN |
驅動配置:半橋|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:8V ~ 14V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:1.4V,2.2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):3A,4A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):114 V|上升/下降時間(典型值):9ns,7.5ns|工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ) |
|
 |
MSL IR21362 |
柵極驅動器 |
28-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP |
驅動配置:半橋|通道類型:3 相|驅動器數:6|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:11.5V ~ 20V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):200mA,350mA|輸入類型:反相,非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):600 V|上升/下降時間(典型值):125ns,50ns|工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) |
|
 |
MSL 1SP0335V2M1-5SNA1200G450300 |
柵極驅動器 |
模块 |
託盤 |
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE |
驅動配置:高壓側或低壓側|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT|電壓 - 供電:23.5V ~ 26.5V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:-|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):35A,35A|輸入類型:-|高壓側電壓 - 最大值(自舉):4500 V|上升/下降時間(典型值):9ns,30ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C |
|
 |
MSL MIC5021BN |
柵極驅動器 |
8-PDIP |
管件 |
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP |
驅動配置:高端|通道類型:單路|驅動器數:1|柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:12V ~ 36V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,2V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):-|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):400ns,400ns|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
|
 |
MSL IXDN502PI |
柵極驅動器 |
8-DIP |
管件 |
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
驅動配置:低端|通道類型:獨立式|驅動器數:2|柵極類型:IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET|電壓 - 供電:4.5V ~ 30V|邏輯電壓\u00A0- VIL,VIH:0.8V,3V|電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A|輸入類型:非反相|高壓側電壓 - 最大值(自舉):-|上升/下降時間(典型值):7.5ns,6.5ns|工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) |
|