储存器

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MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D 储存器 200-WFBGA(10x14.5) 託盤 IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E TR MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E TR MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA 記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- PDF
MSL IS46TR16128B-15HBLA1-TR MSL IS46TR16128B-15HBLA1-TR 储存器 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL IS46TR16128B-15HBLA1-TR MSL IS46TR16128B-15HBLA1-TR 储存器 96-TWBGA(9x13) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL CY62148GN30-45SXIT MSL CY62148GN30-45SXIT 储存器 32-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL CY62148GN30-45SXIT MSL CY62148GN30-45SXIT 储存器 32-TSOP II 卷帶(TR) IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 非同步|存儲容量:4Mb|記憶體組織:512K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.2V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF

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