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產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL CY7C025AV-25AXI |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
託盤 |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL BQ2205LYPWR |
控制器 |
16-TSSOP |
卷帶(TR) |
IC CTRLR SRAM NONVOLITL 16-TSSOP |
控制器類型:非易失性 SRAM|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 70°C |
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MSL 4RCD0232KC1ATG |
控制器 |
253-FCCSP(8x13.5) |
託盤 |
FCCSP 13.50X8.00X1.40 MM, 0.65MM |
控制器類型:動態 RAM(DRAM)|電壓 - 供電:1.2V|工作溫度:- |
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MSL W94AD2KBJX5E TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT 90-VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL W94AD2KBJX5E TR |
储存器 |
90-VFBGA(8x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT 90-VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
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MSL CY14B101LA-SP45XIT |
储存器 |
48-SSOP |
卷帶(TR) |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP |
記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) |
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MSL CY7C09349AV-12AXCKJ |
储存器 |
100-TQFP(14x14) |
散裝 |
IC SRAM 72KBIT PAR 100TQFP |
記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:72Kb|記憶體組織:4K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) |
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MSL W97BH6MBVA1E |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W97BH6MBVA1E TR |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL W9712G6KB25I |
储存器 |
84-TFBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:57.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
PDF |