存儲器

存儲器

來自 產品編號 分類 封裝 包裝方式 描述 參數 數據表
MSL 24VL024H/P MSL 24VL024H/P 储存器 8-PDIP 管件 IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8DIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:2Kb|記憶體組織:256 x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:400 kHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.5V ~ 3.6V|工作溫度:-20°C ~ 85°C(TA)
MSL FT24C512A-USG-T MSL FT24C512A-USG-T 储存器 8-SOP 卷帶(TR) IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EEPROM|技術:EEPROM|存儲容量:512Kb|記憶體組織:64K x 8|記憶體介面:I2C|時鐘頻率:1 MHz|寫週期時間 - 字,頁:5ms|訪問時間:900 ns|電壓 - 供電:1.8V ~ 5.5V|工作溫度:-40°C ~ 85°C
MSL IS46LQ16256BL-062BLA2-TR MSL IS46LQ16256BL-062BLA2-TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) AUTOMOTIVE (TC: -40 TO +105C), 4 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR4X|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL IS46LQ16256B-062BLA2-TR MSL IS46LQ16256B-062BLA2-TR 储存器 200-TFBGA(10x14.5) 卷帶(TR) AUTOMOTIVE (TC: -40 TO +105C), 4 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:4Gb|記憶體組織:256M x 16|記憶體介面:LVSTL|時鐘頻率:1.6 GHz|寫週期時間 - 字,頁:18ns|訪問時間:3.5 ns|電壓 - 供電:1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 105°C(TC)
MSL HN27C101AG12 MSL HN27C101AG12 储存器 32-CDIP 散裝 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32CDIP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - UV|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL HN27C101AFP12 MSL HN27C101AFP12 储存器 32-SOP 散裝 IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32SOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:EPROM|技術:EPROM - OTP|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:120 ns|電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
MSL N25Q016A11E5140F TR MSL N25Q016A11E5140F TR 储存器 8-XFCSP(2x2.8) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI 8XFCSP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:4M x 4|記憶體介面:SPI|時鐘頻率:108 MHz|寫週期時間 - 字,頁:8ms,1ms|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.7V ~ 2V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL GD25Q16EWIGR MSL GD25Q16EWIGR 储存器 8-WSON(5x6) 卷帶(TR) IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8WSON 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NOR|存儲容量:16Mb|記憶體組織:2M x 8|記憶體介面:SPI - 四 I/O|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:70µs,2ms|訪問時間:7 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL TH58NVG2S3HBAI6 MSL TH58NVG2S3HBAI6 储存器 63-BGA(9x11) 託盤 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
MSL TH58BVG2S3HBAI6 MSL TH58BVG2S3HBAI6 储存器 67-VFBGA(6.5x8) 託盤 IC FLASH 4GBIT 67VFBGA 記憶體類型:非易失|記憶體格式:閃存|技術:FLASH - NAND(SLC)|存儲容量:4Gb|記憶體組織:512M x 8|記憶體介面:-|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)

在线留言

  • *
  • *
  • *
  • *
  • *
  • *为必填项