| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
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MSL QG82945GSE |
控制器 |
998-FCBGA(27x27) |
卷帶(TR) |
DRAM CONTROLLER, 64M X 16, CMOS, |
控制器類型:圖形和記憶體控制器|電壓 - 供電:1V ~ 1.1V,1.425V ~ 1.577V|工作溫度:- |
PDF |
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MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
PDF |
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MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL MT53D512M32D2DS-046 AIT:D |
储存器 |
200-WFBGA(10x14.5) |
託盤 |
IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - Mobile LPDDR4|存儲容量:16Gb|記憶體組織:512M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:2.133 GHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.1V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
PDF |
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MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E TR |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
PDF |
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MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
託盤 |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
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MSL MT42L16M32D1HE-18 IT:E TR |
储存器 |
134-VFBGA(10x11.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA |
記憶體類型:-|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2|存儲容量:512Mb|記憶體組織:16M x 32|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:-|電壓 - 供電:-|工作溫度:- |
PDF |
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MSL IS46TR16128B-15HBLA1-TR |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
PDF |
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MSL IS46TR16128B-15HBLA1-TR |
储存器 |
96-TWBGA(9x13) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR3|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:667 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:20 ns|電壓 - 供電:1.425V ~ 1.579V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) |
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MSL DS9034PCX+ |
電池 |
34-PowerCap 模块 |
管件 |
PCM W/CRYSTAL NV SRAM SNAP-ON |
功能:备份管理|电池化学成份:锂电池|工作温度:0°C ~ 70°C |
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