储存器

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MSL W971GG6KB25I TR MSL W971GG6KB25I TR 储存器 84-WBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:57.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC) PDF
MSL W971GG6KB-25 MSL W971GG6KB-25 储存器 84-WBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:57.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W971GG6KB-25 TR MSL W971GG6KB-25 TR 储存器 84-WBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:57.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W971GG6KB-18 MSL W971GG6KB-18 储存器 84-WBGA(8x12.5) 託盤 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:58.125 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W971GG6KB-18 TR MSL W971GG6KB-18 TR 储存器 84-WBGA(8x12.5) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:58.125 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W968D6DAGX7I MSL W968D6DAGX7I 储存器 54-VFBGA(6x8) 託盤 IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W968D6DAGX7I TR MSL W968D6DAGX7I TR 储存器 54-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W968D6DAGX7I TR MSL W968D6DAGX7I TR 储存器 54-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W967D6HBGX7I TR MSL W967D6HBGX7I TR 储存器 54-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W967D6HBGX7I TR MSL W967D6HBGX7I TR 储存器 54-VFBGA(6x8) 卷帶(TR) IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) PDF

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