储存器

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MSL CY7C1370KV25-167AXCT MSL CY7C1370KV25-167AXCT 储存器 100-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL CY7C1370KV25-167AXCT MSL CY7C1370KV25-167AXCT 储存器 100-TQFP(14x20) 卷帶(TR) IC SRAM 18MBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 同步,SDR|存儲容量:18Mb|記憶體組織:512K x 36|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:167 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:3.4 ns|電壓 - 供電:2.379V ~ 2.625V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL CY7C025AV-25AXI MSL CY7C025AV-25AXI 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL CY7C025AV-25AXI MSL CY7C025AV-25AXI 储存器 100-TQFP(14x14) 託盤 IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,非同步|存儲容量:128Kb|記憶體組織:8K x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:25ns|訪問時間:25 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL W94AD2KBJX5E TR MSL W94AD2KBJX5E TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT 90-VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W94AD2KBJX5E TR MSL W94AD2KBJX5E TR 储存器 90-VFBGA(8x13) 卷帶(TR) IC DRAM 1GBIT 90-VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR|存儲容量:1Gb|記憶體組織:32M x 32|記憶體介面:-|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL CY14B101LA-SP45XIT MSL CY14B101LA-SP45XIT 储存器 48-SSOP 卷帶(TR) IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP 記憶體類型:非易失|記憶體格式:NVSRAM|技術:NVSRAM(非易失性 SRAM)|存儲容量:1Mb|記憶體組織:128K x 8|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:-|寫週期時間 - 字,頁:45ns|訪問時間:45 ns|電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) PDF
MSL CY7C09349AV-12AXCKJ MSL CY7C09349AV-12AXCKJ 储存器 100-TQFP(14x14) 散裝 IC SRAM 72KBIT PAR 100TQFP 記憶體類型:易失|記憶體格式:SRAM|技術:SRAM - 雙端口,同步|存儲容量:72Kb|記憶體組織:4K x 18|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:50 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:12 ns|電壓 - 供電:3V ~ 3.6V|工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) PDF
MSL W97BH6MBVA1E MSL W97BH6MBVA1E 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 託盤 IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF
MSL W97BH6MBVA1E TR MSL W97BH6MBVA1E TR 储存器 134-VFBGA(10x11.5) 卷帶(TR) IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA 記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - 移動 LPDDR2-S4B|存儲容量:2Gb|記憶體組織:128M x 16|記憶體介面:HSUL_12|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:-|電壓 - 供電:1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-25°C ~ 85°C(TC) PDF

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