| 來自 |
產品編號 |
分類 |
封裝 |
包裝方式 |
描述 |
參數 |
數據表 |
 |
MSL W971GG6KB-25 |
储存器 |
84-WBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:57.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W971GG6KB-25 TR |
储存器 |
84-WBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:200 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:57.5 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W971GG6KB-18 |
储存器 |
84-WBGA(8x12.5) |
託盤 |
IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:58.125 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W971GG6KB-18 TR |
储存器 |
84-WBGA(8x12.5) |
卷帶(TR) |
IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:DRAM|技術:SDRAM - DDR2|存儲容量:1Gb|記憶體組織:64M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:533 MHz|寫週期時間 - 字,頁:15ns|訪問時間:58.125 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.9V|工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W968D6DAGX7I |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
託盤 |
IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W968D6DAGX7I TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W968D6DAGX7I TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 256MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:256Mb|記憶體組織:16M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W967D6HBGX7I TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W967D6HBGX7I TR |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
卷帶(TR) |
IC PSRAM 128MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:128Mb|記憶體組織:8M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |
 |
MSL W966D6HBGX7I |
储存器 |
54-VFBGA(6x8) |
管件 |
IC PSRAM 64MBIT PAR 54VFBGA |
記憶體類型:易失|記憶體格式:PSRAM|技術:PSRAM(偽 SRAM)|存儲容量:64Mbit|記憶體組織:4M x 16|記憶體介面:並聯|時鐘頻率:133 MHz|寫週期時間 - 字,頁:-|訪問時間:70 ns|電壓 - 供電:1.7V ~ 1.95V|工作溫度:-40°C ~ 85°C(TC) |
PDF |